キオクシア、キヤノン、大日本印刷、「ナノインプリント」を2025年にも実用化。

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日本経済新聞 電子版は2021年10月18日に、電子部品製造業者キオクシア(KIOXIA/旧東芝メモリ)、キヤノン、大日本印刷は、先端半導体の回路を描くために不可欠な「露光技術」で、ハンコを押すように回路を形成する「ナノインプリント」を2025年にも実用化すると報告した。

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実用化が実現できれば、世界で初めてとなるという。

ここでも東芝が、名前を変えて再生している。

世界最小NANDメモリを実現している。

なんとか不可能を可能にしそうである。

東芝再生の話題を聞くと、泣きたくなる!がんばれ〜!

https://time-az.com/main/detail/75411

半導体の土台であるシリコンウエハーに回路をつくるための露光工程では、通常、回路の設計図を形成した原版(マスク)越しに光をウエハーに当てて2次元の回路パターンを転写する。

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複雑な回路を形成する場合、様々な種類のマスクで何度も転写して徐々に目的の形状にする。

一方、「ナノインプリント」は3次元のパターンを形成したマスクをウエハー上にある感光材の液体樹脂に押しつけながら光を当てて、パターンを一度で転写するので、一部の工程が不要になり、設備投資を数百億円、対象工程の製造コストを最大4割減らせる見込みだという。

記憶素子を立体的に積み重ねる複雑な構造をした、データ記憶に使うNANDフラッシュメモリーなどにも対応しやすいという。

現時点で線幅が15ナノ(ナノは10億分の1)メートル相当に対応するが、3社は今後さらなる微細化も狙う。

線幅が微細な先端半導体は「EUV(Extreme Ultraviolet/極端紫外線)」と呼ばれる技術を用いた装置を露光工程に使っており、世界でオランダのASMLのみが手がけている。同装置は高額なもので1台200億円程度とされ、専用の検査装置や多くの電力も必要。
「ナノインプリント」を導入すると、コストがかさむ露光工程の一部を省けるため、EUVに比べて同工程の製造コストを4割、消費電力も9割削減できる。

最近話題になっているCO2(二酸化炭素)の排出削減を求める半導体メーカーの需要にも応えられる。

ただし、何も問題がないわけではない。
本格普及には課題もある。一つが細かいゴミの影響だ。「ナノインプリント」はマスクをウエハーに直接押しつけるため、ゴミの付着による不良品の発生率が高くなる。
製造時のゴミの発生を減らすため、装置・素材メーカーと連携して改良に取り組む必要がある。

3社は2017年からキオクシアの四日市工場(三重県四日市市山之一色町 800番地)で「ナノインプリント」の試作装置を稼働させており、このほど実用化に向け技術面でメドをつけた。
オクシアのプロセス技術開発第二部の河野拓也部長は「技術の基本的な課題は解決し、量産を想定した運用の検討に入った。」という。

キオクシアの四日市工場の緯度、経度。
〒512-0906 三重県四日市市山之一色町 800番地
35°00'53.3"N 136°36'35.6"E
または、
35.014808, 136.609897

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