データシートのグラフからでは対数目盛やスケールの関係でId=100mAのgfs(Forward Transconductance)が読み取れないので、LTspiceのモデルから求める方法をまとめておきます。

方法としては単純で、MOSFETにVds(48V)とVgs(.dc Vth, Vth+1)としてIdをプロットして、カーソル1をId=100mA, カーソル2をId =200mAとして、Slope(d(Id)/d(Vgs))を直読するというものです。

この方法によるいくつかのMOSFETのVds=48V, Id=0.1Aでのgfs(S)をまとめておきます。

• IRFP240: 1.3

• IRF530: 1.8

• IRF200B211: 2.4

• IPP129N10: 5.5

トランスコンダクタンス(gfs=gm=内部抵抗の逆数)はAB級アンプのクロスオーバー歪と関係していて、一般的にはBJT(gm=4程度)の方がMOSFETよりも有利とされています。

というわけで、準コンプリメンタリMOSFETの構成は、コンプリメンタリMOSFETの構成よりも、gmのマッチングとトランスコンダクタンスに起因するクロスオーバー歪の点では有利になります。

また、最新のMOSFET(IPP129N10など)では、Ciss=1300pF程度でgmもBJTにひけを取らないものが出てきています。