当連結会計年度の経営成績は、カーボンブラシ製品の需要は減少したものの、半導体や冶金用途におけ る堅調な需要に加え、円安の影響もあり、売上高は43,774百万円（前期比16.0％増）となりました。利益について は、円安進行により在庫未実現利益が想定以上に増加し利益を下押ししたものの、営業利益6,667百万円（同17.7％ 増）、経常利益7,369百万円（同17.6％増）、親会社株主に帰属する当期純利益5,181百万円(同16.0％増）となりま した。

日本
半導体用は強い需要に支えられ前期を大きく上回り、工業炉用や放電加工電極等冶金用全般も好調に推移したほ
か、機械用カーボン分野が底堅く推移したこと等により、売上高は22,761百万円（前期比17.0％増）、営業利益は
6,435百万円（同48.9％増）となりました。
米国
半導体用が好調に推移したほか、連続鋳造用等の冶金用や放電加工電極が大幅に増加したこと等により、売上高は
3,382百万円（同25.2％増）となり、人件費の増加等により営業利益は91百万円（同30.6％減）となりました。
欧州
経済停滞にともなう需要減速の影響等によりカーボンブラシ製品の売上は前期を下回ったものの、主力の冶金用が
好調に推移したことに加え、半導体用が増加したこと等により、売上高は3,708百万円（同17.5％増）となり、人件
費の増加等により営業利益は35百万円（同71.1％減）となりました。
アジア
前期高水準のカーボンブラシ製品は家電・電動工具の需要減速により減少し、太陽電池用は選別受注による高付加価値品へのシフトを推し進めたこと等により大幅に減少したものの、半導体用が大幅に増加したほか、冶金用等が堅調に推移しました。これらの結果、中国における行動制限にともなうサプライチェーン混乱の影響はあったものの、売上高は13,922百万円（同12.0％増）、営業利益は1,075百万円（同0.8％増）となりました。

当企業グループを取り巻く事業環境におきましては、デジタル投資やカーボンニュートラル実現の 動きが継続することなどにより、エレクトロニクスやモビリティー、エネルギーなどの産業を中心に、着実な需要が 見込まれます。当企業グループにおきましては、一部半導体市場は踊り場局面を迎えるものの対面業界における需要 は力強さが継続するほか、冶金用などにおいても堅調な需要を見込んでおります。 このような状況のもと、当企業グループは、中期経営計画に基づき、外部環境の変化を機敏に捉えた事業展開を推 進するとともに、生産性向上によるコスト競争力の向上、技術革新に追随しうる新製品ならびに高付加価値製品の開 発・増強などに着手し、顧客ニーズに真摯に向き合いながら、事業機会を着実に取り込んでまいる所存です。 これらを踏まえ、次期業績の見通しにつきましては、売上高47,000百万円（前期比7.4％増）、営業利益8,000百万 円（同20.0％増）、経常利益8,000百万円（同8.6％増）、親会社株主に帰属する当期純利益5,500百万円（同6.1％ 増）を見込んでおります。 なお、業績見通しの前提となる為替レートにつきましては、124円/US$、136円/EUR、18円/人民元を想定しており ます。 

ＳｉＣ半導体の需要伸長取り込む、東洋炭素が黒鉛処理能力50％増

東洋炭素が半導体分野の事業拡大に向け設備投資を積極化している。半導体分野の黒鉛製品に必要な処理工程の能力増強に着手。２０２１年１２月期から２６年１２月期までの６年間で１２５億円の投資を計画しており、シリコン半導体のほか電気自動車（ＥＶ）向けに伸長が見込まれる炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体の需要伸長も確実に取り込む構えだ。半導体向け製品で２６年に売上高を２１年比約２倍の２００億円強に拡大する。（大阪・友広志保）
東洋炭素は詫間事業所（香川県三豊市）で黒鉛の純度を高める処理工程の新工場を２５年に稼働する。投資額は５０億円で生産能力は２２年比５０％高まる。同社は２１年に中国と日本で計２５億円を投じて生産能力を増強したばかり。生産技術センター（香川県観音寺市）でも２０億円を投じて、黒鉛表面にＳｉＣ膜を被膜してガスや粉末を閉じ込めるコーティング処理炉を２４年に稼働。生産能力は２２年比で５０％高まるが、やはり２１年に約３０億円を投じ、能力を従来比５０％拡大したばかりだ。
相次ぎ増強投資に踏み切るのは、半導体業界からの要求が高まっているからだ。同社は耐熱、耐薬品性などに優れた等方性黒鉛が主力商品で、半導体製造装置向けに供給。「シリコン、ＳｉＣ半導体向けが増強投資の対象」と喜久秀樹執行役員は説明する。第５世代通信（５Ｇ）やＩｏＴ（モノのインターネット）の普及で、中長期的にロジック半導体の需要は底堅い。またパワー半導体も「ＳｉＣ半導体が年平均で２０％の伸び。高耐圧で電力消費が少なく、ＥＶ化が背景にある」（喜久執行役員）という。

シリコン半導体向けでは単結晶シリコンインゴット製造時に石英るつぼを保持する部材や、シリコンウエハー上に薄膜を成長させる際の土台など、ＳｉＣ半導体では単結晶ＳｉＣインゴット製造用の炉や、薄膜製膜時の土台が主な用途だ。
不純物対策として、高純度処理ではハロゲンガスの注入によって黒鉛内の金属不純物を融点の低いハロゲン化物に変えて取り除き、ｐｐｍ（ｐｐｍは１００万分の１）レベルに低減する。ＳｉＣコーティングでは気相成長（ＣＶＤ）により成膜するが、２４年稼働のＳｉＣコーティング処理炉は設計の工夫によって、炉の稼働中に次のワークの炉外での段取りを可能とした。ＳｉＣ成膜の生産効率を高めた技術も開発済みで、２３年下期から供給を始める予定だ。従来工程の“カイゼン”や生産技術の開発により旺盛な需要に応える。