続いてFETの性質についてまとめていく。

問題

説明

電界効果トランジスタ（FET）は，半導体の内部に生じる電界によって電流を制御する方式のトランジスタであり，3種類の端子「ゲート」「ソース」「ドレイン」がある。

n型チャネル接合型FETについて，ドレイン-ソース間に電圧をかけると電子がキャリアとなって電流が流れるが，ゲート-ソース間に逆方向電圧をかけると空乏層がn型領域に広がることで電流が流れなくなる。

次にMOSFETについて，n型の場合はp型半導体の2箇所にn型半導体を割り込ませた構造となっており，全体を酸化物絶縁膜で覆っている。

ゲートに+電圧が印加された場合，電子が+に集まりドレイン-ソース間に反転層（n型）が形成され，ソース-ドレイン間を高コンダクタンスにする。線形領域では，ゲート電圧に比例して反転層が厚みを増すため，コンダクタンスがゲート電圧に比例して上がる。一方で飽和領域では，MOSのコンダクタンスは反転層の長さによって一定に決まる。

ここまでで示してきたトランジスタの静特性をまとめたのが以下である。

解答

MOSFETの性質について定量的に示していく。

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