京都大学の松波弘之名誉教授（84）が、米国電気電子学会（IEEE、会員約42万人）のエジソンメダルを受賞した。
次世代半導体の材料として注目されるシリコンカーバイド（SiC）の実用化への貢献が評価された。
松波さんは3日に記者会見し、「独自性が高く評価されたのだと思う」と喜びを語った