■半導体分野
・先端ロジック
1.国内製造拠点の整備、技術展開
2.2nmロジック(R社)、ビヨンド2nm(LSTC)
3.光電融合などの将来技術
・先端メモリ
1.日米連携で設計、製造拠点の展開
2.高性能NAND、DRAM、革新メモリの開発
3.混載メモリの開発
・産業用スペシャリティ
1.連携再編でパワー半導体強化。エッジデバイス需要
2.SiCパワー半導体の性能向上、低コスト化
3.GaN、Ga2O3パワー半導体の実用化
・先端パッケージ
1.先端パッケージ開発拠点の設立
2.チップレット技術の確立
3.光チップレット、アナデジ混載SoCの実現
・製造装置、部素材
1.先端製造装置、部素材の安定供給体制構築
2.ビヨンド2nmに必要な次世代材料の技術開発
3.将来材料の実用化に向けた技術開発
・人材育成
地域単位での産学官連携人材育成コンソーシアム
次世代半導体の設計・製造を担う人材育成
・国際連携
日米関係を基軸に次世代半導体の開発
EU、ベルギー、オランダ、韓国、台湾といった半導体重要地域との連携強化
・グリーン
PFAS犠牲への対応
次世代半導体開発によりクリーン化(省エネ、持続可能)を目指す

■情報処理分野
・生成AI産業へのコミット

■高度情報処理通信インフラ分野
・自動運転やAIの社会実装
社会課題解決：人流、物流、災害激甚化
アーリーハーベスト：遠隔地のドローン、自動運転、インフラ管理のDX
デジタルライフライン：ハード(高速通信、IoT)、ソフト(3D地図データ)、認定制度
社会実装：優先採用と継続支援の１０ヶ年計画

■蓄電池分野
・世界的な官民投資競争の激化で全固体電池外の戦略
1.液系LiBの国内製造基盤支援(2030年、国内150GWh)
2.世界シェア20%目標(2030年、グローバル600GWh)
3.次世代電池の技術開発を加速(2030年頃全固体電池)
他、リードする人材育成、需要拡大、リユース、リサイクルの促進。再エネ電力の環境整備。